一、IGBT的定义绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor）简称IGBT，是近年来高速发展的新型电力半导体场控自关断功率器件，集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，其单体或模块主要应用于UPS、电焊机、电机驱动等大功…

七．雪崩特性这些参数是MOSFET在关断状态能承受瞬时过压能力的指标。如果电压超过漏源极限电压将导致器件处在雪崩状态，这个强度是由外壳温度为25 ˚ C时漏极接非钳位电感，器件非重复关断所能承受的能量来定义的。图7.1IRFB11N50A datasheet section 8这个能量水平在外壳温度越高时越小。非重复意味着电路不应设计成使功率…

六．动态参数图6.1IRFB11N50A datasheet section 7如图6.1，这组数据给出了结温25度时的动态参数，这些参数反应了器件在应用时的真实状态。这些动态参数是相辅相成的，有很多的内在联系，但大致可以分为四类：跨导，电容，电荷以及开关时间。对于高压器件来说，其最高的开关频率为100kHz，此时电容参数对它很重要。对于低压…

五．静态参数图5.1IRFB11N50Adatasheet section 6这里给出了结温25度时的静态参数，这些参数常出现在各类测试数据报告中，是必测的参数之一。1．漏源击穿电压V(BR)DSS：这个参数就是我们常说的BVDSS，是指栅源电压VGS为0时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压，也就是漏源间寄生二极管的反向击穿电压。一般定义为漏电…

一. 器件标称及应用说明图1. IRFB11N50Adatasheet section 2Datasheet开篇一般都会给出本器件的性能标称，即额定电流，额定电压及最大RDS(ON)值。此外，还会结合本器件的性能特点，给出适合的应用领域。这里给出的应用领域是开关模式电源支持（SMPS），不间断电源(UPS)及高速电源开关。二. 器件特点及封装形式图2.IRFB11N50…

一、VDMOSFET器件基本工作原理金属氧化物半导体场效应晶体管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors）在过去十几年里，引发了电源工业的革命，大大促进了电子工业的发展。其中又以功率垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（Power Vertical Double diffused MOSFET）近年来的发展最应人注目。功率VDMOSF…